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41. Silicon epitaxial layers--Determination of carrier concentration--Mercury probe Voltage-capacitance method
GB/T14146-1993硅外延层载流浓度测定汞探针电容-电压法
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42. nonequilibrium carrier concentration
非平衡载流浓度
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43. nonequilibrium carrier lifetime
非平衡载流寿命
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44. Conductivity Type- The type of charge carriers in a wafer, such as“ N-type” and“ P-type”.
传导性(学方面)-一种关于载流通过物质难易度的测量指标。
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45. trapped carrier
被俘获的载流
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46. The semiclassical density-matrix theory with carrier intraband relaxation broading is des-cribed.
本文简明地描述了由载流带内弛豫加宽的半经典的密度矩阵理论.
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47. Majority Carrier- A carrier, either a hole or an electron that is dominant in a specific region, such as electrons in an N-Type area.
多数载流-一种载流,在半导体材料中起支配作用的空穴或电,例如在N型中是电
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48. Standard test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
GB/T14863-1993用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流浓度的标准方法
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49. Depletion Layer- A region on a wafer that contains an electrical field that sweeps out charge carriers.
耗尽层-晶圆片上的电场区域,此区域排除载流
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50. Gallium arsenide epitaxial layer-Determination of carrier concentration-Voltage-capacitance method
GB/T11068-1989砷化镓外延层载流浓度电容-电压测量方法
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